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高近似型太陽光模擬器

Highly approximate AM 1.5G
 儀器功能:提供效率驗證量測所用AM1.5G之模擬
太陽光

   

光譜響應量測系統

一、Monochromatic Light part:
波長範圍 :300 to 1200 nm Measurement range
二、White Bias light part:
光源:Xe lamp 150 W with reflector
光源強度 : 100 mW/cm2 (AM1.5G)
光源強度穩定性:±1.0 % Class A (JIS C 8912, JIS C8933)
光源均勻度 :±2.0 % Class A (JIS C 8912, JIS C8933)
Spectral coincidence :within ±25% Class A
儀器功能:提供效率驗證量測用光譜響應量測

   
 

電漿清洗系統

可容納試片尺寸:150mm(L) X 150mm(W)
直流偏壓範圍:0~1000VDC
電漿清洗功率:99.999%
儀器功能:各種載體表面油汙或殘存物之去除及清潔

   
 

網印機

最大印刷面積:400mm(L) X 500mm(W)
真空吸風平台
置具尺寸:15mm(W) X 20mm(L) X 2.2mm(H)
活性面積尺寸:4mm X 4mm ; 5mm X 5mm
目儀器功能:塗佈半導體(ex:TiO2、Al2O3)電極
真空吸風平台

   
 

六吋高溫鍛燒爐

規格:
具定電流式加熱方式,電流可調範圍:0~200A
可八段程式溫度控制
六吋石英管
儀器功能:高溫鍛燒各種料材

   
 

超音波鑽孔機

超音波振動頭: 旋轉式超音波加工主軸.
超音波頻率調整設定: 20KHZ~25KHZ
Z軸PLC控制:
(a)加工進給速度設定: 5um/s~1mm/s
(b)加工深度設定: Z軸行程(max20mm).
(c)主軸轉速:100RPM~5000RPM
微加工壓調整:100g~5g, 加工緩衝裝置
儀器功能:玻璃鑽孔

   
 

落地型紫外可視近紅外光譜儀

分光器:像差補正式 稜鏡-光柵雙分光器
波長範圍:240 ~ 2600nm; 波長最小刻劃:0.01nm
光譜帶寬之選擇與顯示:
UV/Vis:固定式及自動選擇 (由0.1~2.4nm,以0.01nm Steps)
(由2.4~8.0nm,以0.02nm Steps)
NIR:固定式及自動選擇 (由0.1~20nm, 以0.1nm Steps)
測光型式:吸光度(ABS),穿透率(%T),反射率(%R),
測光範圍:吸光值:-2 ~ +5 ABS (in increments of 0.0001 ABS)
穿透率/反射率:0 ~ 999.99 (in increments of 0.01 %T)
測量功能:波長掃描 (go to)、100% T、0 ABS (自動歸零)
工作溫度:15 ~ 30°C ; 工作濕度:45 ~ 80%

   
 

螢光光譜儀爐

單色光器: 凹面光柵系統.刻劃調數:900nm/mm
Brazed: Ex 200mm, EM 400nm, F2.2
波長範圍: 200~750nm和零次光. (可擴充至900nm)
解析能: 1.0nm.
波長精確度: 1nm
波長驅動速度: 60,000 nm/min.
狹縫: 激勵光: 1.0, 2.5, 5.0, 10.0,20.0 nm.
放射光: 1.0, 2.5, 5.0, 10.0, 20.0 nm.
應答時間 (0至98%): 0.002,0.004, 0.01, 0.05, 0.1, 0.5, 2.0, 4.0秒.
光源: 150w氙燈.
測器: R3788光電倍增管.
最小樣品需要量: 使用10 mm標準液槽時只需0.6 ml.
感度: 水之拉曼光譜的S/N比:800以上(RMS),250
以上(Peak to Peak) 操作溫度: 15至350C.
操作濕度45到80%.
儀器功能:測量物質光激發光光譜、激發光譜。

   
 

電位儀-阻抗頻譜分析儀

規格:
最大輸出電流:±2A ;最大輸出電壓:±30V
施加電壓解析度:150μV
電流範圍:10nA to 1A in nine ranges
量測電流解析度 (at current range of 10Na):
0.0003% of current range, 30fA
Potentiostat risetime / falltime(1V step, 10-90%):<250ns
頻率範圍:10μHz to 1MHz
太陽能電池IMPS/IMVS擴充配件

   
 

環境控制型掃瞄式探針顯微鏡

規格:
控制器:訊號控制解析度XY為18 bit、Z為21 bit
XY掃瞄範圍18μm~22μm、Z可至1.2μm~1.6μm
XY解析度可至0.15nm~0.25nm、Z解析度可至0.015nm~0.005nm
可進行樣品 -120至300゚C的溫度連續變化
光學顯微鏡系統:具備200倍與800倍放大倍率之切換
光學顯微鏡系統:具備200倍與800倍放大倍率之切換
天平靈敏度: 0.1μg。解析度 0.1μg,準確度 ±0.01%。
儀器功用:量測材料之熱穩定性
掃瞄功能規格:接觸式AFM、輕敲式AFM 、智慧型輕敲式AFM
(可隔絕形貌對於相位訊號的干擾)
儀器功能:分析材料表面形態、粗糙度、薄膜厚度量測、影像分析量測

   
 

 熱重量分析儀

操作溫度: 室溫 ~ 1000℃。
加熱速率:0.1 ~ 100℃/分鐘,0.01℃/分鐘的程控增加量。
天平靈敏度: 0.1μg。解析度 0.1μg,準確度 ±0.01%。
試樣重量: 1克。
儀器功用:量測材料之熱穩定性

   
 

熱示差掃瞄卡量計

規格:
一、溫度範圍 : 搭配不同冷卻系統可達到-180 to 725°C
二、溫度正確度 : ± 0.1°C; 溫度精確度 : ± 0.01 °C
三、量熱再現性及精準性(基於標準金屬In) : ± 0.05%
四、基線曲率(Curvature) (溫度範圍測試-50 to 300 °C): < 10μW
五、基線再現性 : +/- 10 mW; 基線誤差值(peak to peak): < 1 mW
六、量熱感度 : 0.2 m W
七、動態範圍: >± 500 mW
儀器功能:量測材料之熱性質

   
 

四點探針器

規格: 
電阻率10-4~105Ω-cm;
方塊電阻10-3~106 Ω/□ ; 電阻:10-4~105Ω;
測量精度0.5%
可測半導體材料尺寸
     
直徑:Φ15~100mm, 長(或高)度:≤400mm,
數控恒流源
電流輸出:直流電流 0~100mA 連續可調,由交流電源供電
量程:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA
四探針測試探頭
(1)針間距:1mm
(2)探針壓力:0~2kg 可調,最大壓力約 2kg
(3)探針:碳化鎢,Φ0.5mm
儀器功能:即時監測薄膜之電阻及溫度

   
 

三維量測儀

 表面輪廓儀 (探針式)
規格:
探針壓力:使用 LIS 3 傳感器:1 至 15 mg
樣品載物台:手動:100 X100 mm, 360 度旋轉,手動調整
掃描長度範圍:55 mm
每次掃描數據點:最多 12 萬數據點
最大樣品厚度:高達 90 mm
垂直範圍:標準 524um
垂直分辨率:最大 1 Å 6.55um 垂直範圍下)
對於量測結果可同時將量測結果(30種之量測參數)自動計算出來,
分析參數包括:Ra, Rq, Rp, Rv, Rt ,Rz, Wa, Wq, Wp, Wv, Wt, ASH等。
儀器功能: 測量薄膜厚度

   

紫外,可見光顯微拉曼螢光光譜儀及皮秒脈衝雷射系統

一. 雷射
雷射激發光源為TEMoo Mode,473nm及532nm兩組選擇,可供RAMAN及PL量測使用;可改變雷射光至樣品上的功率密度,至少五個階段變化
雷射波長405nm,CW-20-50-80 MHz,供時間解析螢光光譜量測使用。
二. 顯微鏡
可同時架設三支雷射直接導入式設計,視需求選擇及切換雷射。
含LED light source set for illumination之白光燈源。
含10倍、50倍以及100倍VIS-NIR物鏡,波長從480~1800nm各一組。
拉曼shift從90cm-1,最大約可至9,000 cm-1,並可做選區掃描。
高分辨彩色CCD鏡頭,含直徑50mm反射光鏡進行影像調製,並可觀察和存儲白光圖象。
可做升級做原子力探針式Raman,掃描深度最深可達200nm,平面掃描可達3~5nm。
三. 高解析度高光通效率偵測系統
光光譜範圍︰200 nm-1050 nm,焦距長300 mm或更佳,並為兩個訊號出口。
可做拉曼區段影像與雷射激光光譜全區影像。
解析度:0.05nm @435.8nm(1200gr/mm grating)。
三組光柵:(a)600G/mm,1200nm blz,800~1,800nm;
(b)1,200G/mm;500nm blazed ,300~1,000nm;
(c) 1,800G/mm;holographic,300~800nm
CCD為電子冷卻降溫方式,非液態氮方式,溫度至少達 -70℃
四.時間解析螢光光譜
光通道:時間解析度6.6 ps / 2.5 ps;最小脈衝時間 400 ps。
偵測器為致冷式光電倍管可量測圍為340~ 820 nm;IRF width 150 ~ 180 ps,最低可量測時間為100 ps
Time-to-Amplituude Converter:TAC Range 50 ns~5us,Offset 0 ~100%;時間範圍3.3ns~5us,線性差,<1% peak to peak。
數據蒐集累積時間範圍 0.1 us ~ 100,000 s。
對時間通道之影像解析度 8,192 x 8,192 Pixel。
儀器功能: 可做樣品藍光及綠光雷射之顯微拉曼光譜、可見光區之雷射激發光光譜儀、時間解析螢光光譜儀及UV~Vis區段之穿透度、吸收度以及濃度分析

   

金屬蒸鍍系統

腔體尺寸:400L x 400D x 40H mm
腔體真空度:可達1.3e-7 torr
蒸鍍源:1 組 Thermal Source 1KW/100A Power Supply with switch for 3EA Organic Source
蒸鍍源:1 組 Thermal Source 1KW/200A Power Supply with switch for 3EA Metal Source
基板旋轉系統:轉速可調範圍 0~20 rpm
其他:設備裝有膜厚顯示器、目前提供材料以鋁、鈣為主。
儀器功能:各種金屬材料的蒸鍍

   

OPV組裝量測用手套箱系統

規格:
第一組手套箱系統
手套箱尺寸:1500L x 780D x 900H mm
工作氣體:氮氣、氬氣、氦氣惰性氣體環境
手套數目:4隻手套

過渡艙尺寸:圓形傳遞箱(大),內部尺寸 L600 mm、直徑390 mm。
過渡艙尺寸:圓形傳遞箱(小),內部尺寸 L400 mm、直徑150 mm。
內部現有設備:旋轉塗佈機一組、可程控加熱板共4組、可調整轉速及溫度之加熱板1組。
儀器功能: 塗佈有機太陽能電池主動層的部份
第二組手套箱系統
手套箱尺寸:1800L x 780D x 900H mm
工作氣體:氮氣、氬氣、氦氣惰性氣體環境
手套數目:3隻手套
過渡艙尺寸:圓形傳遞箱(小),內部尺寸 L400 mm、直徑150 mm。
內部現有設備:有機昇華系統一組、太陽光模擬器一組。
有機昇華系統:
腔體尺寸:400L x 400D x 40H mm
腔體真空度:可達1.3e-7 torr
蒸鍍源: 1 組 Thermal Source 1KW/100A Power Supply with switch for 2EA Organic Source
蒸鍍源: 2 組 K-Cell加熱絲坩堝由電源供應器及溫度感測控制 (含擋板裝置)

基板旋轉系統:轉速可調範圍 0~20 rpm
其他:設備裝有膜厚顯示器、目前提供材料以鋁、鈣為主。

儀器功能:提供進行金屬及小分子材料的蒸鍍,可在手套箱中進行電池元件光電轉換效率的量測。

   

元件長時間穩定性量測系統含控溫式量測平台

規格:
連續光源輸出(not pulsed)且可連續照射至少1200小時
光源照射強度: Air Mass 1.5 Global (AM 1.5G), 1000W/m2 or 100mW/cm2 ;
有效照射面積: 400mm×400mm
光源具手動及自動化遮避控制與光能量強度計器及光能量強度回溯。
(測試期間內長時間穩定性於100小時內≦5%,100~1200小時≦10% )
一次可放入30個測試樣品(樣品大小不超過50mmx50mm)
可控溫之量測平台與腔體:可調溫度控制範圍為40~85℃
每24小時一次自動量測且同步記錄溫度與照度及自動存取測試數據
儀器功能:可對腔體及量測平台溫度條件進行控制及設定以進行太陽能電池元件或小面積模組之長時間效率穩定性量測。

   

交流阻抗分析儀

規格:
一 頻率產生器及分析器-頻率範圍:10µHZ到4MHZ
輸出電壓模組:
        -工作電壓:本體:± 4伏特; 緩衝器:± 10伏特
        -交流阻抗振幅:1毫伏至1伏特

三 輸出電流模組:
     -控制電流:±2.5A (可擴充至40安培)
        -電流範圍:±100nA至2.5A, 共8段
四 量測阻抗範圍:電壓模式- 1毫歐姆至109歐姆2%
100毫歐姆至107歐姆0.2%
電流模式:30微歐姆至109歐姆2%
儀器功能:測量太陽能電池元件的動力學參數

   

太陽能電池元件效率及相關特性量測系統

規格:
電池元件面積量測儀
最大量測尺寸: 30mm X 30mm
解析度: 6~16μm
儀器功能:量測太陽能電池元件之有效活性面積
有機太陽能電池測試平台
一、AM1.5G太陽光模擬器:
光源等級: A Class
Illuminated Area: 50mm X 50mm
光源強度: 100 mW/cm2
二、I-V Tracer量測軟體
三、溫控平台: 10℃~50℃溫控/溫度變化<0.1℃
儀器功能:量測太陽能電池元件之光電參數
太陽能電池光譜響應量測系統
Mode: AC mode and DC mode
Measurement range: 300-1100 nm
Resolution: <1nm
光源系統XQ lamp system with 150W power supply
元件短路電流密度估算
自動內部量子效率(IQE)量測計算
儀器功能:量測太陽能電池元件之外部及內部量子效率
LBIC
一、單一波長雷射光: 532nm ± 10nm
二、Output power: 200mW
三、Focusing optics, Beam size~100μm
四、自動量測載台: XY translation stage 100mm, Resolution: 2.5μm

   

瞬態螢光及吸收測量系統

規格:
光源:Tunable Dye Laser。
光譜範圍。300nm~1600nm。
優異的數據分析軟體。
可連接harmonic generators and OPOs。
依使用者需求設計光學系統,可擴充聯結穿透、反射套件或低溫腔體。
光學設計上可收集最大量的probe light 同時使用降噪放大器提高訊噪比。
Time Window可達 100 s。
偵測器:Photodiode。
即時顯示2D及3D 瞬態分析數據。
儀器功能:

零點時間調整。
散射光及背景扣除。
光譜及動力分析均一化

量測光子誘發之光學吸收光譜

   

飛秒解析度螢光光譜儀

規格:
激發波長:390nm ~430 nm。
最大平均激發功率:8mW。
螢光探測波長:600nm~780nm。
系統響應時間:150 fs
最大偵測時間視窗:2ns。
儀器功能:量測光激發之時間解析螢光光譜
備註:國鼎光電大樓421實驗室 (超快光學實驗室)

 

   

多功能X光薄膜繞射儀附加二維偵測器

規格︰
光學元件︰雙反射光束平行鏡、光發射(divergence)~1 mrad、光徑(size)~0.8mm x 0.8mm。
樣品台︰尤拉環X=Y=80mm,△X=△Y=0.01mm、Z=2mm、△Z=0.01mm,ø=±∞,△ø=0.01˚,X=-11˚~98˚,△X=0.01˚;兩個自由±6度(zeta,xi)之軸動傾斜樣品載台。
變溫系統:Anton Paar DCS 350半球式生降溫載台、樣品台材質28mm鎳底銅合金、樣品最大25mm直徑、X光視窗材料250µmPEEK、溫度控制範圍 -100℃至350℃、真空幫浦及讀值器、壓力範圍up to 0.3 bar,可選擇在真空/惰性氣體/一般大氣環境下操作、2Theta 角度0˚~165˚、Chi角度0˚~180˚。
偵測器:二維X光訊號偵測器區域有效面積至少10000mm2 或以上、可使用波長Cr-Ka以及Cu-Ka、空間解析至少68µm X 68µm 、背景雜訊<5.0X10-4 c/s/mm2、閃爍計數器最大線性技術量可達2M cps以上。
功能︰
可執行X光廣角繞射、低掠角二維X光繞射、樣品變溫(-100~350℃)下以繞射圖譜。

   
 

太陽能模組戶外測試系統

 規格︰
天氣資料收集系統,具日照計、溫濕度數值。
電性量測系統,具電源量測單元、矽晶比對電池、T type熱電偶。
電性可量測範圍值,Isc:3.0A(Max. Voc:1V)Voc:5V(Max. Isc:1A)
模組置放架,2M x 2M待測物鋁擠置放架。
功能︰
可同時監控測試10組電池數據。
可個別累積10I-V量測數據,並個別累積顯示個別DSSC電池的JscVocFF與轉換效率。
可個別計算顯示與顯示太陽能電池累積發電量。

 

 

中心公告訊息